FE-SEM: dati tecnici
Microscopio Elettronico ad emissione di campo (FE-SEM) ZEISS SUPRA 40 VP
Tensione di accelerazione:
da 0,1 KV a 30 KV
Risoluzione in alto vuoto:
10 angstrom a 20KV
13 angstrom a 15 KV
15 angstrom a 10 KV
21 angstrom a 1 KV
50 angstrom a 0.2 KV
Risoluzione a pressione variabile:
20 angstrom a 30KV
Ingrandimenti:
da 12x a 900.000x
Rivelatori:
Elettroni secondari " in lens SE" ad alta sensibilità
Elettroni secondari "in chamber SE"
Elettroni secondari in pressione variabile "VPSE"
Elettroni retrodiffusi (back scattering)
Sistema di microanalisi a dispersione di energia (EDS)
OXFORD "INCA Energie 450x3"
Rivelatore di raggi x
Si(Li). Elementi analizzabili dal B/Be in poi
Tensione di accelerazione:
da 0,1 KV a 30 KV
Risoluzione in alto vuoto:
10 angstrom a 20KV
13 angstrom a 15 KV
15 angstrom a 10 KV
21 angstrom a 1 KV
50 angstrom a 0.2 KV
Risoluzione a pressione variabile:
20 angstrom a 30KV
Ingrandimenti:
da 12x a 900.000x
Rivelatori:
Elettroni secondari " in lens SE" ad alta sensibilità
Elettroni secondari "in chamber SE"
Elettroni secondari in pressione variabile "VPSE"
Elettroni retrodiffusi (back scattering)
Sistema di microanalisi a dispersione di energia (EDS)
OXFORD "INCA Energie 450x3"
Rivelatore di raggi x
Si(Li). Elementi analizzabili dal B/Be in poi